台湾积体电路制造股份有限公司陈姿蓓获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223079124U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421461800.9，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型半导体结构是由陈姿蓓;王菘豊;杨士亿;张博钦;郑宇婷;朱家宏;廖峻宏;简瑞宏;张家豪;林斌彦设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构，包括：设置于一半导体装置上的一第一介电层、设置于第一介电层内的一导电结构、包括一顶部部分及一底部部分的一阻挡结构、设置于阻挡结构上的一导电衬层以及设置于导电衬层上的一导电插塞。顶部部分设置于第一介电层上，且底部部分延伸至第一介电层内并设置于导电结构与第一介电层之间。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一第一介电层，设置于一半导体装置上； 一导电结构，设置于该第一介电层内； 一阻挡结构，包括一顶部部分及一底部部分，其中： 该顶部部分设置于该第一介电层上；以及 该底部部分延伸至该第一介电层内，并设置于该导电结构与该第一介电层之间； 一导电衬层，设置于该阻挡结构上；以及 一导电插塞，设置于该导电衬层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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