杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080384U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421487989.9，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件是由许一力设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件，包括多个相互并联排列的MOS元胞，所述MOS元胞包括漏极、衬底层、扩散层、栅极、金属源极、P阱层以及N阱层，其中衬底层的底层通过离子注入形成隔绝N阱层；单个所述MOS元胞结构中衬底层制备中采用两侧少量中间多量的离子注入形成中间凸起两侧低洼的形状；所述栅极表面沉积有隔绝氧化层，所述漏极与隔绝N阱层、衬底层均欧姆接触，所述金属源极与重掺杂N阱层欧姆接触。本实用新型通过在衬底层的内部离子注入形成隔绝N阱层，由于隔绝N阱层的电荷阻力大于衬底层的电荷阻力，在栅极接入门极电压之后，其栅极‑漏极的最小路径不会轻易被电荷击穿。
本实用新型一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件，其特征在于，包括多个相互并联排列的MOS元胞，所述MOS元胞包括漏极1、衬底层3、扩散层4、栅极5、金属源极6、P阱层以及N阱层，其中衬底层3的底层通过离子注入形成隔绝N阱层2； 单个所述MOS元胞结构中衬底层3制备中采用两侧少量中间多量的离子注入形成中间凸起两侧低洼的形状； 所述栅极5表面沉积有隔绝氧化层7，所述漏极1与隔绝N阱层2、衬底层3均欧姆接触，所述金属源极6与重掺杂N阱层8欧姆接触； 所述N阱层与扩散层4通过P阱层隔绝，所述栅极5接入栅极电压状态下，其P阱层内部靠近栅极5位置处形成电荷沟道。
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