北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种VDMOS晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080388U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421615060.X，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种VDMOS晶体管是由许一力设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VDMOS晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种VDMOS晶体管，包括由若干个VDMOS元胞相互并列构成的VDMOS结构，所述VDMOS元胞包括漏极、源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括沉底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，单个VDMOS元胞中其扩散层与衬底层之间通过离子注入形成中间层；单个所述VDMOS元胞的扩散层内部靠近栅极区域处通过离子注入形成漂移层，其漂移层划分为轻掺杂漂移层以及重掺杂漂移层；所述P阱层包括重掺杂P阱层二、重掺杂P阱层一、低重掺杂P阱层一以及低掺杂P阱层二。本实用新型通过在衬底层与扩散层之间离子注入形成中间层，并且由于中间层掺杂浓度低于扩散层，这样可以提高该半导体对脉冲电压耐受性，提高该VDMOS器件的雪崩耐量。
本实用新型一种VDMOS晶体管在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS晶体管，其特征在于，包括由若干个VDMOS元胞相互并列构成的VDMOS结构，所述VDMOS元胞包括漏极1、源极2、栅极3以及半导体外延层； 所述半导体外延层包括衬底层12、扩散层10、P阱层以及N阱层； 其中，单个VDMOS元胞中其扩散层10与衬底层12之间通过离子注入形成中间层11； 单个所述VDMOS元胞的扩散层10内部靠近栅极3区域处通过离子注入形成漂移层，其漂移层划分为轻掺杂漂移层13以及重掺杂漂移层14； 所述P阱层包括重掺杂P阱层二9、重掺杂P阱层一8、低重掺杂P阱层一15以及低掺杂P阱层二16； 所述N阱层包括低掺杂N阱层一5、重掺杂N阱层一6以及低掺杂N阱层二7； 其中，所述栅极3接入栅极电压状态下，其低重掺杂P阱层一15内部靠近栅极3位置处形成电荷沟道17。
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