北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种新型碳化硅VDMOS晶体管结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080387U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421615056.3，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种新型碳化硅VDMOS晶体管结构是由许一力设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型碳化硅VDMOS晶体管结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型碳化硅VDMOS晶体管结构，包括由多个VDMOS元胞构成的新型碳化硅VDMOS晶体管结构，所述VDMOS元胞包括漏极、金属源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括沉底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，衬底层与扩散层之间离子注入形成有漂移层，所述漂移层包括有轻掺杂漂移层一、轻掺杂漂移层二以及重掺杂漂移层；所述P阱层包括重掺杂P阱层一、轻掺杂P阱层一以及重掺杂P阱层二；所述N阱层包括重掺杂N阱层一、轻掺杂N阱层一以及轻掺杂N阱层二。本实用新型在衬底层与扩散层之间通过离子注入形成多层级的漂移层，漂移层即不会影响栅极电场对漏极电荷的吸引，同时也降低漏极电荷直接击穿氧化层概率。
本实用新型一种新型碳化硅VDMOS晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种新型碳化硅VDMOS晶体管结构，其特征在于，包括由多个VDMOS元胞构成的新型碳化硅VDMOS晶体管结构，所述VDMOS元胞包括漏极1、金属源极3、栅极5以及半导体外延层； 所述半导体外延层包括衬底层2、扩散层13、P阱层以及N阱层； 其中，衬底层2与扩散层13之间离子注入形成有漂移层，所述漂移层包括有轻掺杂漂移层一14、轻掺杂漂移层二15以及重掺杂漂移层16； 所述P阱层包括重掺杂P阱层一9、轻掺杂P阱层一10以及重掺杂P阱层二12； 所述N阱层包括重掺杂N阱层一6、轻掺杂N阱层一7以及轻掺杂N阱层二8； 所述栅极5接入栅极电压状态下，其轻掺杂P阱层一10内部电荷向栅极5聚集形成电荷沟道，所述扩散层13与N阱层通过电荷沟道连通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京清芯微储能科技有限公司，其通讯地址为：100000 北京市大兴区北京经济技术开发区永昌北路9号1幢4层416-40号(集群注册)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号