杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种提升反向恢复速度的MOS晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080392U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421647842.1，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种提升反向恢复速度的MOS晶体管是由许一力设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升反向恢复速度的MOS晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种提升反向恢复速度的MOS晶体管，包括由若干VDMOS元胞组成的MOS晶体管，其中所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层包括沉底层、扩散层、抑制P体区、P阱层以及N阱层；所述N阱层与扩散层通过P阱层阻隔；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一、轻掺杂P阱层二以及重掺杂P阱层一；所述N阱层包括轻掺杂N阱层以及重掺杂N阱层；所述N阱层中仅重掺杂N阱层与金属源极欧姆短接。本实用新型通过将抑制P体区与漏极呈欧姆短接，这样在出现反向恢复电流下降阶段中，由于抑制P体区自身电场的介入，使得扩散层电荷的下降速度增加，反向恢复电流得以迅速衰减，从而加快反向恢复的速度。
本实用新型一种提升反向恢复速度的MOS晶体管在权利要求书中公布了：1.一种提升反向恢复速度的MOS晶体管，其特征在于，包括由若干VDMOS元胞组成的MOS晶体管，其中所述VDMOS元胞包括漏极1、半导体外延层、金属源极3以及栅极4； 所述半导体外延层包括沉底层2、扩散层9、抑制P体区10、P阱层以及N阱层；所述N阱层与扩散层9通过P阱层阻隔； 所述P阱层包括轻掺杂P阱层一6、轻掺杂P阱层二7以及重掺杂P阱层一8； 所述N阱层包括轻掺杂N阱层11以及重掺杂N阱层12；其中，所述N阱层中仅重掺杂N阱层12与金属源极3欧姆短接； 所述扩散层9包括漂移层901、抑制层902、扩散层一903以及扩散层二904； 当所述栅极4施加正向的栅极电压时，所述漂移层901内部的JFET区域形成反向耗尽层，其中JFET区域位于相邻两个轻掺杂P阱层一6之间。
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