北京中科新微特科技开发股份有限公司李寿全获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科新微特科技开发股份有限公司申请的专利半导体器件的终端结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080393U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421672691.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体器件的终端结构及半导体器件是由李寿全;赵哿;张彦飞;龚雪芹;温霄霞;刘梦新设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的终端结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件的终端结构及半导体器件，其中，半导体器件的终端结构，包括：主结包括第一表面和相对的第二表面，第一表面与外延层接触；主结与截止环间隔设置；结终端拓展结构置于主结与截止环之间，且与主结连接，从主结向截止环方向，结终端拓展结构包括第一拓展部分和第二拓展部分，第一拓展部分对应的第四表面与第二表面共面，第二拓展部分对应的第四表面呈逐渐递减趋势的阶梯状。用以解决现有的终端结构需要较长，无法实现小型化封装的问题，实现从主结到截止环方向的电荷量浓度变化，呈梯度逐渐均匀递减，可以有效地缓解电场集中现象，提高功率器件的反向阻断能力，并且降低结终端拓展结构的长度。
本实用新型半导体器件的终端结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，所述外延层形成在所述衬底上； 主结，所述主结形成在所述外延层背向所述衬底的一侧，所述主结包括第一表面和相对的第二表面，所述第一表面与所述外延层接触； 截止环，所述截止环形成在所述外延层背向所述衬底的一侧，所述主结与所述截止环间隔设置； 结终端拓展结构，所述结终端拓展结构形成在所述外延层背向所述衬底的一侧，所述结终端拓展结构置于所述主结与所述截止环之间，且与所述主结连接，所述结终端拓展结构包括第三表面和相对的第四表面，所述第三表面与所述外延层接触，从所述主结向所述截止环方向，所述结终端拓展结构包括第一拓展部分和第二拓展部分，所述第一拓展部分对应的所述第四表面与所述第二表面共面，从所述主结向所述截止环方向，所述第二拓展部分对应的所述第四表面呈逐渐递减趋势的阶梯状。
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