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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种耐静电击穿的超结VDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080394U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421679080.3，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种耐静电击穿的超结VDMOS器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐静电击穿的超结VDMOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，且公开了一种耐静电击穿的超结VDMOS器件，包括漏极和栅极，所述漏极的上表面沉积有一层N+衬底，所述N+衬底的上方有缓冲层，所述缓冲层的上表面生长N‑外延层一，且所述N‑外延层一的内部通过离子注入扩散形成P‑区，所述N‑外延层一的上方生长一层N‑外延层二，所述N‑外延层二的内部两侧设置有高掺杂P柱，所述P柱的一侧上方具有重掺杂区空穴势垒区，所述P柱的一侧下方具有轻掺杂区空穴势阱区；增加栅极介质层的厚度，栅极介质层的总厚度为100nm，能够有效改善VDMOS器件的单粒子缩穿效应，并且，栅极介质层由20nm二氧化硅和80nm四氮化三硅组成，进一步改善器件的抗单粒子缩穿的特性，在同样的栅极电压下，减小栅源漏电。

本实用新型一种耐静电击穿的超结VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种耐静电击穿的超结VDMOS器件，包括漏极2和栅极14，其特征在于：所述漏极2的上表面沉积有一层N+衬底1，所述N+衬底1的上方有缓冲层4，所述缓冲层4的上表面生长N-外延层一5，且所述N-外延层一5的内部通过离子注入扩散形成P-区3，所述N-外延层一5的上方生长一层N-外延层二6，所述N-外延层二6的内部两侧设置有高掺杂P柱9，所述P柱9的一侧上方具有重掺杂区空穴势垒区8，所述P柱9的一侧下方具有轻掺杂区空穴势阱区7，且所述轻掺杂区空穴势阱区7的上方和所述重掺杂区空穴势垒区8的下方相接触，所述N-外延层二6的内部通过离子注入形成有横向等距分布的P-区10，所述P-区10的上方中部通过相同高浓度离子注入形成有N+区11，所述P-区10的内部一侧通过离子注入高掺杂的P+区17，相邻的两个所述N+区11的上方横向沉淀有所述栅极14，所述栅极14的下方掺杂介质层15，且所述栅极14的外侧壁包裹有栅极介质层13，所述栅极介质层13的外部设有源极12，且所述源极12的下表面沉积在所述P-区10的上方，所述源极12的上表面设置有防静电层16，所述防静电层16与所述源极12粘贴固定。

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