上海声微半导体技术有限公司张慈伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海声微半导体技术有限公司申请的专利一种专用的DNF封装特有引出方式的贴片话筒管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223079071U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421705183.2，技术领域涉及：H01L21/60；该实用新型一种专用的DNF封装特有引出方式的贴片话筒管是由张慈伟;李光辉设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种专用的DNF封装特有引出方式的贴片话筒管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种专用的DNF封装特有引出方式的贴片话筒管，包括金属框架，话筒专用芯片，长方形塑封体，其特征在于：话筒专用芯片位于金属框架正面上方，其底部用导电胶粘接至金属框架面中间的栅极专用位上，芯片正面的漏极、源极压点通过金属连线与金属框架正面两边漏极和源极专用位上，在框架反面从左到右形成漏极、栅极、源极三个引出端，金属框架正面通过模压方式覆盖硅酮或环氧树脂形成塑封体，话筒专用芯片及其金属连线均封闭在塑封体内。本实用新型的优点是：利用新的结构方式及新的工艺，具有封装成本低，封装产品致密性好，适用面广泛的特点。
本实用新型一种专用的DNF封装特有引出方式的贴片话筒管在权利要求书中公布了：1.一种专用的DNF封装特有引出方式的贴片话筒管，包括金属框架（1），话筒专用芯片（12），长方形塑封体（9），其特征在于：话筒专用芯片位于金属框架正面上方，其底部用导电胶粘接至金属框架面中间的栅极专用位（3）上，芯片正面的漏极（6）、源极（8）压点通过金属连线与金属框架正面两边漏极（2）和源极专用位（4）上，在框架反面从左到右形成漏极（6）、栅极（7）、源极（8）三个引出端，金属框架正面通过模压方式覆盖硅酮或环氧树脂形成塑封体（9），话筒专用芯片及其金属连线均封闭在塑封体（9）内。
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