泰科天润半导体科技(北京)有限公司施广彦获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080382U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421840377.3，技术领域涉及：H10D30/01；该实用新型一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS是由施广彦;张长沙;李昀佶;胡慧娜设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS，包括：第一漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；低阻通道区下侧面连接至第一漂移层上侧面；第二漂移层下侧面连接至低阻通道区；P型阱区下侧面连接至第一漂移层下侧面；P型阱区内设有N型源区，P型阱区内侧面连接至低阻通道区外侧面以及第二漂移层外侧面；N型体区下侧面连接至第一漂移层上侧面，N型体区内侧面连接至P型阱区外侧面；栅介质层下侧面分别连接第二漂移层以及P型阱区；源极金属层分别连接N型体区、P型阱区以及N型源区；栅极金属层连接至栅介质层；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面；降低了器件的栅电容，提高了器件的开关速度的同时降低了器件反向恢复损耗。
本实用新型一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 第一漂移层，所述第一漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 低阻通道区，所述低阻通道区下侧面连接至所述第一漂移层上侧面； 第二漂移层，所述第二漂移层下侧面连接至所述低阻通道区； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述第一漂移层下侧面；所述P型阱区内设有N型源区，所述P型阱区内侧面连接至所述低阻通道区外侧面以及第二漂移层外侧面； N型体区，所述N型体区下侧面连接至所述第一漂移层上侧面，所述N型体区内侧面连接至所述P型阱区外侧面； 栅介质层，所述栅介质层下侧面分别连接所述第二漂移层以及P型阱区； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述N型体区、P型阱区以及N型源区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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