泰科天润半导体科技(北京)有限公司李昀佶获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080381U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421839614.4，技术领域涉及：H10D30/01；该实用新型一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS是由李昀佶;张长沙;胡慧娜;施广彦设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；漂移层内设有导电层，漂移层设有一凹槽，凹槽底部设有掩蔽层；漂移层上设有保护层；阱区下侧面分别连接漂移层以及保护层；P型源区下侧面连接至阱区；N型源区下侧面连接至阱区，N型源区外侧面连接至P型源区内侧面；栅介质层下部设于凹槽内，且栅介质层下侧面连接至掩蔽层；栅介质层外侧面分别连接阱区内侧面以及N型源区内侧；栅介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，能提高器件的耐漏极电压冲击能力的同时提高开关速度。
本实用新型一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层内设有导电层，所述漂移层设有一凹槽，所述凹槽底部设有掩蔽层；所述漂移层上设有保护层； 阱区，所述阱区下侧面分别连接所述漂移层以及保护层； P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述阱区； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述阱区，所述N型源区外侧面连接至所述P型源区内侧面； 栅介质层，所述栅介质层下部设于所述凹槽内，且所述栅介质层下侧面连接至所述掩蔽层；所述栅介质层外侧面分别连接所述阱区内侧面以及N型源区内侧；所述栅介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100000 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号