台湾积体电路制造股份有限公司林汶儀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式场效晶体管装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080386U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421852750.7，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型鳍式场效晶体管装置是由林汶儀;胡希圣;陈朝祺设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效晶体管装置在说明书摘要公布了：提供鳍式场效晶体管装置。在一示例中，鳍式场效晶体管FinFET装置包括基板、设置在基板上的鳍式结构、形成在鳍式结构中的分段通道区、由分段通道区间隔开的两源极漏极区，以及环绕分段通道区的栅极结构。分段通道区还包括依序设置在分段通道区中的多个通道段，且多个通道段包括第一通道段及第二通道段。第一通道段包括分散在第一通道段的第一通道阻挡材料并具有第一能量障壁。当FinFET装置未启动运作时，第一能量障壁在两源极漏极区之间的载子流动路径至少为0.1电子伏特。
本实用新型鳍式场效晶体管装置在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效晶体管装置，其特征在于，包括 一基板； 一鳍式结构，设置于该基板上，其中该鳍式结构沿着一水平方向延伸； 一分段通道区，形成在该鳍式结构中并沿着该水平方向延伸； 两源极漏极区，形成在该鳍式结构中且被该分段通道区间隔开；以及 一栅极结构，形成于该鳍式结构上并环绕该分段通道区， 其中该分段通道区包括依序设置在该分段通道区中并沿着该水平方向延伸的多个通道段，且所述多个通道段包括一第一通道段及一第二通道段， 其中该第一通道段具有一第一能量障壁，且当该鳍式场效晶体管装置未启动运作时，在该两源极漏极区之间的载子流动路径的该第一能量障壁至少为0.1电子伏特。
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