台湾积体电路制造股份有限公司黄郁翔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080395U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421862581.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体结构是由黄郁翔;陈彦廷;李威养设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括形成在基底上方的多个纳米结构以及形成在纳米结构上的栅极结构。所述半导体结构包括邻近栅极结构形成的源极漏极结构以及位于栅极结构与源极漏极结构之间的内间隔物层。所述半导体结构包括邻近内间隔物层的阻挡层，且阻挡层位于内间隔物层与纳米结构之间。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个纳米结构，形成在一基底上方； 一栅极结构，形成在该多个纳米结构上； 一源极漏极结构，邻近该栅极结构形成； 一内间隔物层，位于该栅极结构与该源极漏极结构之间；以及 一阻挡层，邻近该内间隔物层，其中该阻挡层位于该内间隔物层与该多个纳米结构之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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