台湾积体电路制造股份有限公司巫承霖获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080399U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421944534.5，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型集成电路是由巫承霖;陈志良;卢麒友;陈顗伊;吴亭昀设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种集成电路包括第一栅极、第二栅极、第三栅极及第四栅极、第一输入接脚以及第一导体。第一栅极及第三栅极位于第一层级上。第二栅极及第四栅极位于第二层级上。第二栅极耦合至第一栅极。第四栅极耦合至第三栅极。第一输入接脚在第二方向上延伸、在衬底的前侧上方位于第一金属层上、耦合至第一栅极且被配置成接收第一输入信号。第一输入接脚借由第一栅极、第二栅极或第四栅极电性耦合至第三栅极。第一导体在第一方向上延伸、在衬底的背侧下方位于第二金属层上且耦合至第二栅极及第四栅极。
本实用新型集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括： 第一栅极，位于第一层级上； 第二栅极，位于处于所述第一层级下方的第二层级上且耦合至所述第一栅极； 第三栅极，位于所述第一层级上且在第一方向上与所述第一栅极分隔开； 第四栅极，位于所述第二层级上、在所述第一方向上与所述第二栅极分隔开且耦合至所述第三栅极； 第一输入接脚，在与所述第一方向不同的第二方向上延伸、在衬底的前侧上方的第一金属层上、耦合至至少所述第一栅极且被配置成接收第一输入信号；以及 第一导体，在所述第一方向上延伸、在所述衬底的与所述衬底的所述前侧相对的背侧下方的第二金属层上，且所述第一导体耦合至至少所述第二栅极及所述第四栅极， 其中所述第一输入接脚借由至少所述第一栅极、所述第二栅极或所述第四栅极电性耦合至所述第三栅极。
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