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龙图腾网获悉重庆平伟实业股份有限公司申请的专利一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411129797.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管是由陶霖;杨林森;李吕强;周秀兰;唐玉玲;彭雨桐;彭海霞;冯海燕;彭袋凌设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成第一导电类型半导体源区时，不增加场效应晶体管的造成工艺和成本，使得不同区域的第一导电类型半导体源区的掺杂浓度不同，因场效应晶体管的沟道密度降低，有效降低了寄生三极管的基极压降，减少寄生三极管开启的风险，增强了场效应晶体管的抗热不稳定性和安全工作区，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。

本发明授权一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，在所述衬底的正面生成第一导电类型半导体漂移区； 在所述第一导电类型半导体漂移区内形成第一沟槽，并在所述第一沟槽内形成第一氧化层； 在所述第一氧化层上进行多晶硅淀积，形成屏蔽栅多晶硅电极； 在所述屏蔽栅多晶硅电极上进行热氧化生长或淀积，形成第二氧化层，其中，所述第一氧化层和第二氧化层包裹所述屏蔽栅多晶硅电极； 对位于所述第二氧化层上的所述第一导电类型半导体漂移区先进行热氧化生长再刻蚀形成弧面结构，在所述弧面结构进行热氧化生长，形成第三氧化层，在所述第二氧化层上进行多晶硅淀积，形成栅多晶硅电极； 在所述第一导电类型半导体漂移区背离所述衬底的一侧进行离子注入和推结，形成第二导电类型半导体区； 在所述第二导电类型半导体区背离所述第一导电类型半导体漂移区的一侧进行分区离子注入和推结，形成具有同方向坡度的两个第一导电类型半导体源区； 在所述栅多晶硅电极、两个所述第一导电类型半导体源区及所述第三氧化层上进行钝化，形成栅源间介质层； 在所述栅源间介质层背离两个所述第一导电类型半导体源区的一侧进行光刻，形成第二沟槽，对所述第二沟槽进行离子注入，且部分延伸至所述第二导电类型半导体区内，形成第二导电类型半导体欧姆接触区； 在所述栅源间介质层和所述第二导电类型半导体欧姆接触区上进行淀积金属，形成源极金属层； 对所述衬底的背面进行淀积金属，形成漏极金属层； 其中，第一个所述第一导电类型半导体源区的掺杂浓度大于第二个所述第一导电类型半导体源区的掺杂浓度，所述第一氧化层、所述第二氧化层及所述第三氧化层构成绝缘介质层； 其中，在所述第二导电类型半导体区背离所述第一导电类型半导体漂移区的一侧进行分区离子注入和推结，形成具有相同坡度的两个第一导电类型半导体源区，包括： 基于掩模版在所述第二导电类型半导体区上进行开窗，得到离子注入窗口； 基于所述离子注入窗口对所述第二导电类型半导体区进行离子注入，形成初始导电类型半导体源区； 对所述初始导电类型半导体源区进行推结，形成两个所述第一导电类型半导体源区； 所述掩模版上设置有单个窗口；或者所述掩模版上设置有多个窗口，且所述多个窗口的尺寸从左至右增大或减小。

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