浏阳泰科天润半导体技术有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉浏阳泰科天润半导体技术有限公司申请的专利一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080389U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422011254.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;周海;单体玮;胡臻设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底的上侧面；漂移层内设有第二P型阱区、凹槽及屏蔽层，第二P型阱区内设有第二N型源区；第一P型阱区下侧面连接至漂移层、第二P型阱区以及第二N型源区；第一N型源区下侧面连接至第一P型阱区上侧面；栅介质层下部设于凹槽内，栅介质层外侧壁分别连接第一N型源区、第一P型阱区以及漂移层，栅介质层内设有沟槽；源极金属层分别连接第一N型源区、第一P型阱区、漂移层、第二P型阱区以及第二N型源区；栅极金属层设于沟槽内；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，构建第二N型源区和第二P型阱区，用来在漂移层提供大量电子，降低器件导通电阻。
本实用新型一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于，包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面；所述漂移层内设有第二P型阱区，所述第二P型阱区内设有第二N型源区，所述漂移层上设有凹槽，所述漂移层内设有屏蔽层，所述屏蔽层位于所述凹槽底部； 第一P型阱区，所述第一P型阱区下侧面连接至所述漂移层、第二P型阱区以及第二N型源区； 第一N型源区，所述第一N型源区下侧面连接至所述第一P型阱区上侧面； 栅介质层，所述栅介质层下部设于所述凹槽内，所述栅介质层外侧壁分别连接第一N型源区、第一P型阱区以及漂移层，所述栅介质层内设有沟槽； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述第一N型源区、第一P型阱区、漂移层、第二P型阱区以及第二N型源区； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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