天津理工大学徐永宽获国家专利权
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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119020868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411150485.2，技术领域涉及：C30B35/00；该发明授权一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法是由徐永宽;刘俊平;马文成;齐小方;陈建丽设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底材料进行电化学刻蚀预处理，具体为：将需预处理的SiC衬底生长面裸露，另一面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极；阳极与阴极对称放置，置于电解液中，连接电源通电，对衬底生长面进行电化学刻蚀；将电化学刻蚀好的衬底继续置于电解液中浸泡，再置于去离子水中浸泡超声，最后用惰性气体吹干。本发明提供的一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法，在SiC晶体生长之前，对SiC衬底材料进行电化学刻蚀预处理，改善衬底表面质量，避免衬底表面二维成核造成的错排概率，优化生长初期成核，从而提升SiC单晶和外延生长质量。
本发明授权一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法，其特征在于：在SiC晶体生长之前，对SiC衬底材料进行电化学刻蚀预处理，改善衬底表面质量，避免衬底表面二维成核造成的错排概率，优化生长初期成核，使得从晶体生长的初期就以台阶流方式生长，从而提升SiC单晶和外延生长质量； 所述对SiC衬底材料进行电化学刻蚀预处理的具体步骤为： （1）将需预处理的SiC衬底生长面裸露，另一面遮掩； （2）衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂电极； （3）阳极与阴极对称放置，将碳化硅衬底置于电解液中，连接电源通电，对衬底生长面进行电化学刻蚀； （4）将电化学刻蚀好的衬底继续置于电解液中浸泡，再置于去离子水中浸泡超声，最后用惰性气体吹干； 所述步骤（3）中，电解液为HF溶液，浓度为10-60wt%，温度为30-50℃，电化学刻蚀时间为10min-5h。
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