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武汉市蓝电电子股份有限公司党先获国家专利权

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龙图腾网获悉武汉市蓝电电子股份有限公司申请的专利一种高可靠性SiCMOS管栅极驱动电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223080015U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422041160.2,技术领域涉及:H03K17/687;该实用新型一种高可靠性SiCMOS管栅极驱动电路是由党先设计研发完成,并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高可靠性SiCMOS管栅极驱动电路在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种高可靠性SiCMOS管栅极驱动电路,它的走线干扰调节电路的PWM信号输入端用于连接PWM信号驱动器的PWM信号输出端,走线干扰调节电路的消除走线干扰后的PWM信号输出端连接开关速度调节电路的信号输入端,开关速度调节电路的调整波形后的PWM信号输出端连接尖峰抑制电路的信号输入端,尖峰抑制电路的尖峰抑制PWM信号输出端连接补偿电路的信号输入端,补偿电路的波形补偿后的PWM信号输出端用于驱动SiCMOS管栅极。本实用新型能够解决在高压高频以及浮动中应用的SiCMOS管驱动不稳定的问题,并且对于并联使用的SiCMOS管驱动也有很好的效果,可以使得SiCMOS管可靠稳定的进行工作。

本实用新型一种高可靠性SiCMOS管栅极驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种高可靠性SiCMOS管栅极驱动电路,其特征在于:它包括第一走线干扰调节电路、第一开关速度调节电路、第一尖峰抑制电路、第一补偿电路;第一走线干扰调节电路的PWM信号输入端用于连接PWM信号驱动器的PWM信号输出端,第一走线干扰调节电路的消除走线干扰后的PWM信号输出端连接第一开关速度调节电路的信号输入端,第一开关速度调节电路的调整波形后的PWM信号输出端连接第一尖峰抑制电路的信号输入端,第一尖峰抑制电路的尖峰抑制PWM信号输出端连接第一补偿电路的信号输入端,第一补偿电路的波形补偿后的PWM信号输出端用于驱动SiCMOS管栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉市蓝电电子股份有限公司,其通讯地址为:430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路28号武汉光谷电子工业园3期7号厂房栋4层01号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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