苏州华德电子有限公司颜睿志获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华德电子有限公司申请的专利一种提高熔断器DC分断能力的新型结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223079067U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422075413.8，技术领域涉及：H01H85/18；该实用新型一种提高熔断器DC分断能力的新型结构是由颜睿志;朱学文;饶红设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高熔断器DC分断能力的新型结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种提高熔断器DC分断能力的新型结构，包括基座、外壳、电极、熔体、填充剂以及填料，所述基座上卡合有外壳，所述基座上竖直插装有两电极，两电极顶部打扁部分通过熔体导通连接，熔体位于外壳内，熔体与电极的焊接点覆盖有填充剂，所述填充剂采用绝缘树脂，所述熔体采用单体熔丝，单体熔丝弯折设置，单体熔丝弯折区域露出填充剂，基座、填充剂和外壳形成的腔体内填充有用于熔断器分断大电流时多重阻碍电弧持续飞弧性的填料，所述填料采用石英砂。通过上述方式，本实用新型设计巧妙，方便快速安装，能够增强熔断器熔断后的电气绝缘性，防止电弧在电极之间直接贯通。
本实用新型一种提高熔断器DC分断能力的新型结构在权利要求书中公布了：1.一种提高熔断器DC分断能力的新型结构，其特征在于：包括基座1、外壳2、电极3、熔体4、填充剂5以及填料6，所述基座1上卡合有外壳2，所述基座1上竖直插装有两电极3,两电极3顶部打扁部分通过熔体4导通连接，熔体4位于外壳2内,熔体4与电极3的焊接点覆盖有填充剂5，所述熔体4采用单体熔丝，单体熔丝弯折设置，单体熔丝弯折区域露出填充剂5,基座1、填充剂5和外壳2形成的腔体内填充有用于熔断器分断大电流时多重阻碍电弧持续飞弧性的填料6。
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