中微半导体设备(上海)股份有限公司关庆龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种进气组件及薄膜沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223074252U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422148720.4，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种进气组件及薄膜沉积装置是由关庆龙;韦效椋;李晓磊;黄洁洁;张昭设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种进气组件及薄膜沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种进气组件及薄膜沉积装置，所述进气组件包括：上盖板，其中心设置有第一进气通道；至少四个第二进气通道，其环绕所述第一进气通道设置在所述上盖板的每个角落；气体喷淋板，其设置在所述上盖板的下方，所述气体喷淋板和上盖板之间形成匀气腔；每个所述第一进气通道和第二进气通道的进气端均设有一RPS反应器；每个所述RPS反应器的进气口与工艺气体源和清洁气体源连接，所述RPS反应器的出气口与对应的第一进气通道或第二进气通道连通；所述工艺气体或清洁气体经过RPS反应器的进气口和出气口传输至反应腔内。本实用新型提升了工艺气体和清洁气体的分布均匀性，进而提高了基片成膜厚度的均匀性和清洁效率。
本实用新型一种进气组件及薄膜沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种进气组件，用于薄膜沉积装置，其特征在于，包括： 上盖板，其中心设置有第一进气通道； 至少四个第二进气通道，其环绕所述第一进气通道设置在所述上盖板的每个角落； 气体喷淋板，其设置在所述上盖板的下方，所述气体喷淋板和上盖板之间形成匀气腔； 每个所述第一进气通道和第二进气通道的进气端均设有一RPS反应器； 每个所述RPS反应器的进气口设置有工艺气体支路和清洁气体支路，所述工艺气体支路与一工艺气体源连接，所述清洁气体支路与一清洁气体源连接；当第一进气通道和第二进气通道输送工艺气体时，所述RPS反应器处于非激活状态，所述RPS反应器作为所述工艺气体的传输通道； 所述RPS反应器的出气口与对应的第一进气通道或第二进气通道连通；所述工艺气体或清洁气体经过RPS反应器的进气口和出气口传输至反应腔内。
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