中微半导体设备(上海)股份有限公司陈丹莹获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利晶圆托盘及气相沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223074254U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422181335.X，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型晶圆托盘及气相沉积设备是由陈丹莹;郑振宇;王栋辉;王家毅设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆托盘及气相沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种晶圆托盘及气相沉积设备。晶圆托盘设置于气相沉积设备的反应腔内的旋转筒上，晶圆托盘为一体式结构，其下表面设有环形凸台，环形凸台的外径与旋转筒的顶部开口的内径相适配，用于对晶圆托盘进行限位；晶圆托盘的上表面包括中心区域和和环绕中心区域的外围区域，中心区域具有内陷的凹坑，沿凹坑的侧壁设有用于承载晶圆的第一台阶；晶圆的下表面与凹坑的底面间隔，晶圆的下表面、第一台阶的侧壁以及凹坑的底面围成一匀热空间；第一台阶处设有放气结构，以连通匀热空间与反应腔。本实用新型用于解决现有的分体式托盘组件中托盘易变形，以及开腔维护频率过高的问题。
本实用新型晶圆托盘及气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆托盘，设置于气相沉积设备的反应腔内的旋转筒上，其特征在于，所述晶圆托盘为一体式结构，其下表面设有环形凸台，所述环形凸台的外径与所述旋转筒的顶部开口的直径相适配，用于对所述晶圆托盘进行限位； 所述晶圆托盘的上表面包括中心区域和环绕所述中心区域的外围区域，所述中心区域具有内陷的凹坑，沿所述凹坑的侧壁设有用于承载晶圆的第一台阶； 所述晶圆的下表面与所述凹坑的底面间隔，所述晶圆的下表面、所述第一台阶的侧壁以及所述凹坑的底面围成一匀热空间； 所述第一台阶处设有放气结构，以连通所述匀热空间与所述反应腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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