鲁东大学朱旭然获国家专利权
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龙图腾网获悉鲁东大学申请的专利双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080429U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422185921.1，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器是由朱旭然;李正;刘志宇;谭泽文;孙佳雄;李晓丹设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器，包括：硅基体，硅基体形状为立方体；硅基体中心沿着竖直方向两侧设置中央阳极；硅基体两侧设有沟槽阴极；相邻的硅基体共享相同的沟槽阴极；中央阳极下部覆盖阳极铝电极接触层；沟槽阴极上部外侧覆盖阴极铝电极接触层；硅基体下表面除过沟槽阴极两侧未覆盖阳极铝电极接触层处覆盖下表面SiO2层；硅基体上表面除过中央阳极上部未覆盖阴极铝电极接触层处覆盖上表面SiO2层。以解决传统硅探测器无法消除死区、稳定性差的问题，同时实现电极的贯穿性，且性能优异。
本实用新型双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器在权利要求书中公布了：1.双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器，包括：硅基体（5），其特征在于，硅基体（5）形状为立方体；硅基体（5）中心沿着竖直方向两侧设置中央阳极（2）；硅基体（5）两侧设有沟槽阴极（4）；相邻的硅基体（5）共享相同的沟槽阴极（4）；中央阳极（2）下部覆盖阳极铝电极接触层（7）；沟槽阴极（4）上部外侧覆盖阴极铝电极接触层（3）；硅基体（5）下表面除了沟槽阴极（4）两侧未覆盖阳极铝电极接触层（7）处覆盖下表面SiO2层（6）；硅基体（5）上表面除了中央阳极（2）上部未覆盖阴极铝电极接触层（3）处覆盖上表面SiO2层（1）。
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