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龙图腾网获悉天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利加热装置及单晶制造设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223074322U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422217714.X，技术领域涉及：C30B35/00；该实用新型加热装置及单晶制造设备是由王拓;张国栋;张志富;王遵义;刘琨;叶舒剑设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本加热装置及单晶制造设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种加热装置及单晶制造设备，属于单晶制造技术领域，该加热装置用于加热单晶，包括本体，本体具有第一侧面；本体还具有通孔、第一导流槽和第二导流槽；通孔贯穿第一表面和第二表面；第一导流槽贯穿第一表面和第二表面，且第一导流槽与通孔连通；第二导流槽至少贯穿第一表面，第二导流槽还贯穿第一侧面；第二导流槽与第一导流槽沿本体的周向方向间隔设置，且第二导流槽与通孔间隔设置；第二导流槽用于将远离单晶的电流朝通孔引导，以提高单晶的中心温度。本申请通过设置第二导流槽以使得电流更加靠近线圈的中心，从而提升线圈中心的温度，以降低在径向上的温度梯度比变化，从而降低单晶开裂的风险。

本实用新型加热装置及单晶制造设备在权利要求书中公布了：1.一种加热装置，用于加热多晶，其特征在于，包括本体100，所述本体100具有第一表面110、第二表面120和第一侧面130，所述第一表面110和所述第二表面120沿所述本体100的轴向方向X相背离，所述第一侧面130位于所述第一表面110和所述第二表面120之间，并分别连接所述第一表面110和所述第二表面120； 所述本体100还具有通孔140、第一导流槽160和第二导流槽170； 所述通孔140贯穿所述第一表面110和所述第二表面120；所述本体100能够接受电流，并对穿过所述通孔140的所述多晶加热； 所述第一导流槽160贯穿所述第一表面110和所述第二表面120，且所述第一导流槽160与所述通孔140连通，所述第一导流槽160用于将所述电流朝远离所述多晶的方向引导，以降低所述多晶的边缘温度； 所述第二导流槽170至少贯穿所述第一表面110，所述第二导流槽170还贯穿所述第一侧面130；所述第二导流槽170与所述第一导流槽160沿所述本体100的周向方向Y间隔设置，且所述第二导流槽170与所述通孔140间隔设置；所述第二导流槽170用于将远离所述多晶的电流朝所述通孔140引导，以提高所述多晶的中心温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：300384 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。