芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司张宇波获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利IGBT晶圆的制备方法及IGBT晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411545757.9，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权IGBT晶圆的制备方法及IGBT晶圆是由张宇波;闫玉伦;尚松川;黄峰设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT晶圆的制备方法及IGBT晶圆在说明书摘要公布了：本发明提供了一种IGBT晶圆的制备方法及IGBT晶圆，属于半导体领域。该IGBT晶圆的制备方法包括提供一晶圆，对晶圆正面进行第一次贴膜。将第一次贴膜之后的晶圆依次进行膜平坦化处理、对晶圆的背面减薄处理之后，将第一次贴膜进行第一次揭膜处理。将第一次揭膜处理之后的晶圆的正面进行第二次贴膜。将第二贴膜之后的晶圆的背面依次进行离子注入和热退火处理。将热退火处理之后的晶圆进行第二次揭膜处理。本发明通过在对晶圆的背面进行减薄处理和揭膜处理之后，在晶圆的背面进行第二次贴膜，能够避免在晶圆的正面产生划伤、残留中央印迹等。以对晶圆的正面起到保护的作用，提高了IGBT晶圆的整体外观表现，提高晶圆的合格率。
本发明授权IGBT晶圆的制备方法及IGBT晶圆在权利要求书中公布了：1.一种IGBT晶圆的制备方法，其特征在于，包括： 提供一晶圆，对晶圆正面进行第一次贴膜； 将第一次贴膜之后的晶圆依次进行膜平坦化处理、对晶圆的背面减薄处理之后，将第一次贴膜进行第一次揭膜处理； 将第一次揭膜处理之后的晶圆的正面进行第二次贴膜； 将第二贴膜之后的晶圆的背面依次进行离子注入和热退火处理； 将热退火处理之后的晶圆进行第二次揭膜处理； 将第二次贴膜之后的晶圆置于退火机台进行激光热退火处理，所述退火机台包括承载台，所述贴膜与承载台接触的一面具有台阶，所述台阶与所述承载台之间形成供气流通过的通道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号-17；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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