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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利射频功率放大器制备方法、结构及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446939B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411575824.1，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权射频功率放大器制备方法、结构及电路是由陶波;孟雅楠;萧国坤;盘永生设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频功率放大器制备方法、结构及电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频功率放大器制备方法、射频功率放大器结构及射频功率放大器电路。所述制备方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆上形成有多级级联场效应管结构，第一晶圆为绝缘体上硅晶圆；提供第二晶圆，第二晶圆上形成有硅锗异质结双极晶体管结构，第二晶圆为体硅晶圆；将多级级联场效应管结构与硅锗异质结双极晶体管结构键合，形成初始功率放大器结构；在初始功率放大器结构上形成金属布线结构，金属布线结构分别与射频输入端和射频输出端电性连接，以形成射频功率放大器。由该制备方法制成的相应结构及电路具有良好的射频性能，制备成本相对较低，而且与CMOS电路的兼容性良好。

本发明授权射频功率放大器制备方法、结构及电路在权利要求书中公布了：1.一种射频功率放大器制备方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有多级级联场效应管结构，其中所述第一晶圆为绝缘体上硅晶圆； 提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有硅锗异质结双极晶体管结构，其中所述第二晶圆为体硅晶圆； 将所述多级级联场效应管结构与所述硅锗异质结双极晶体管结构键合，形成初始功率放大器结构； 在所述初始功率放大器结构上形成金属布线结构，所述金属布线结构分别与射频输入端和射频输出端电性连接，以形成射频功率放大器； 其中，所述第二晶圆包括第二半导体层，所述第二半导体层中形成有集电极层； 其中，所述硅锗异质结双极晶体管结构的形成包括： 在所述集电极层上形成硅锗晶体层作为所述硅锗异质结双极晶体管的基极； 在所述第二半导体层上形成具有图形开口的第二多晶硅层，所述图形开口暴露部分硅锗晶体层表面； 在所述第二多晶硅层和所述硅锗晶体层上沉积第三介电层，并在所述第三介电层内形成贯穿的接触窗口；在所述接触窗口内填充第三多晶硅层，所述第三多晶硅层与所述硅锗晶体层相接触以形成所述硅锗异质结双极晶体管的发射极。

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