中微半导体设备(上海)股份有限公司田宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利下电极组件及等离子体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411660380.1，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权下电极组件及等离子体处理设备是由田宁;叶如彬设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本下电极组件及等离子体处理设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种下电极组件及等离子体处理设备。所述下电极组件用于等离子体工艺处理，包括：静电吸盘，其上表面用于承载基片；位于静电吸盘中的第一电极，其与一脉冲式直流偏压源电连接；位于静电吸盘中的第二电极，其通过一隔离电路与一直流电压源电连接，所述第二电极位于所述第一电极的上方；所述隔离电路包含一二极管，所述二极管的负极与所述直流电压源的负极电连接、正极与所述第二电极电连接。本发明通过消除脉冲式直流偏压源对箝位电压的影响，解决在工艺过程中基片箝位电压的失稳问题。
本发明授权下电极组件及等离子体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种下电极组件，用于等离子体工艺处理，其特征在于，包括： 静电吸盘，其上表面用于承载基片； 位于静电吸盘中的第一电极，其与一脉冲式直流偏压源电连接； 位于静电吸盘中的第二电极，其通过一隔离电路与一直流电压源电连接，所述第二电极位于所述第一电极的上方； 所述隔离电路包含一二极管，所述二极管的负极与所述直流电压源的负极电连接、正极与所述第二电极电连接，所述隔离电路确保所述直流电压源向所述第二电极输送的电压正向导通，反向截止。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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