中国科学院高能物理研究所许琼获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种曲面微区XRF成像的加权修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119574606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790419.1，技术领域涉及：G01N23/223；该发明授权一种曲面微区XRF成像的加权修正方法是由许琼;周昫;魏存峰;魏龙设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种曲面微区XRF成像的加权修正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种曲面微区XRF成像的加权修正方法。本方法为：1对样品进行扫描，获得样品的光谱图及荧光光强I，并记录扫描时入射样品的X射线在水平面上的偏离角度θ、在垂直面上的偏离角度2将样品对入射X射线的质量衰减系数和样品对出射荧光的质量衰减系数估计为同一个值μ，利用角度加权函数对荧光光强I进行修正，得到X射线垂直入射时的荧光强度I1；3得到X射线透镜到物体表面的距离改变量y，利用距离加权函数fy对荧光强度I1进行修正，得到X射线垂直入射样品且入射距离不变时的荧光强度I2；4基于荧光强度I2修正光谱数据，修正成像图中对应的像素值，得到修正后的荧光扫描图像。
本发明授权一种曲面微区XRF成像的加权修正方法在权利要求书中公布了：1.一种曲面微区XRF成像的加权修正方法，其步骤包括： 1对样品进行扫描，获得样品的光谱数据，并记录扫描时入射样品的X射线在水平面上的偏离角度θ、在垂直面上的偏离角度 2将样品对入射X射线的质量衰减系数和样品对出射荧光的质量衰减系数估计为同一个值μ，利用对所述光谱数据中的荧光光强I进行修正，得到X射线垂直入射时的荧光强度其中， ρ为样品的密度，x为X射线入射到样品内的深度； 3记录X射线透镜到样品表面的距离改变量y，利用对荧光强度I1进行修正，得到修正后的荧光强度I2＝I1×fy，其中，s为入射距离不变时样品表面到探测器的距离，I2表示X射线垂直入射样品且入射距离不变时的荧光强度值； 4基于荧光强度I2修正所述光谱数据，根据修正后的光谱数据修正荧光扫描图像中对应的像素值，得到修正后的荧光扫描图像。
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