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龙图腾网获悉华芯半导体科技有限公司;华芯半导体研究院(北京)有限公司申请的专利一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119511637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411789747.X，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法是由田正如;尧舜;王光辉;江蔼庭;汤秀娟设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法，涉及光刻胶材料技术领域。制备方法包括以下步骤：步骤1：将外延片依次经过酸洗、双氧水洗、纯水清洗，得到预处理外延片；步骤2：将预处理外延片表面旋涂负性光刻胶；软烤，在掩膜版的遮蔽下曝光处理，将图形转移至预处理外延片上；显影处理、纯水清洗、氮气烘干，得到负性光刻胶图形化膜层。所述负性光刻胶的原料包括以下组分：按质量份数计，22~26份光敏聚酰亚胺、4~6份POSS基支化聚酰亚胺、10~12份巯基单体、3~4份引发剂、108~132份有机溶剂。本申请中，通过优化组分和软烤和曝光工艺，有效提高负性光刻胶图形化膜层的质量。

本发明授权一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1：将外延片依次经过酸洗、双氧水洗、纯水清洗，得到预处理外延片； 步骤2：将预处理外延片表面旋涂负性光刻胶；软烤，在掩膜版的遮蔽下曝光处理，将图形转移至预处理外延片上；显影处理、纯水清洗、氮气烘干，得到负性光刻胶图形化膜层； 所述负性光刻胶的原料包括以下组分：按质量份数计，22~26份光敏聚酰亚胺、4~6份POSS基支化聚酰亚胺、10~12份巯基单体、3~4份引发剂、108~132份有机溶剂； 所述POSS基支化聚酰亚胺的制备方法包括以下步骤：S1-1：将二胺单体、八对氨基苯基POSS加入至N-甲基吡咯烷酮中搅拌0.5~1小时，得到溶液A；将均苯四甲酸酐、4-乙炔基邻苯二甲酸酐加入至N-甲基吡咯烷酮中搅拌0.5~1小时，得到溶液B；S1-2：将溶液A和溶液B混合搅拌4~6小时；升温至60~65℃搅拌2~4小时；加入甲苯，升温至180~185℃搅拌反应10~12小时，蒸除甲苯，等反应体系达到200℃后停止加热，后处理，得到POSS基支化聚酰亚胺； 所述二胺单体的制备方法为：（1）惰性气体下，将摩尔比为1:2的吡啶-2,6-二甲醛、4-乙烯苯胺依次加入至乙醇中，58~60℃下搅拌反应4~6小时，后处理，得到二乙烯基单体；（2）将质量比为1:0.65~0.7的二乙烯基单体、半胱胺加入至四氢呋喃中，加入偶氮二异丁腈；在紫外光照下，设置光辐照度为100~150mWcm2，搅拌反应2~4小时，后处理，得到二胺单体； 所述引发剂的制备方法包括以下步骤：S2-1：将二乙烯基单体、丙烯酰胺、烯丙基琥珀酸酐、甲基丙烯酸羟乙酯混合均匀，得到混合单体；将二氧化硅、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷加入至5~10wt%的乙醇水溶液中，超声分散均匀；加入混合单体、偶氮二异丁腈，在70~75℃反应3~5小时，后处理，得到复合二氧化硅；S2-2：避光下，将复合二氧化硅加入至四氢呋喃中，加入含氯噻吨酮、4-氯二苯甲酮；惰性气体下，在50~55℃下搅拌5~6小时，加入丙烯酰氯和对苯二酚继续搅拌10~12小时；后处理，得到引发剂； 所述曝光处理的过程中，使用接触式曝光机，功率为15~20mWcm2，曝光时间为15~20s，总曝光量为300~400mJ。

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