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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利兼具补硅和调温功能的晶体生长装置及晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411871954.X，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权兼具补硅和调温功能的晶体生长装置及晶体生长方法是由刘博浩设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本兼具补硅和调温功能的晶体生长装置及晶体生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种兼具补硅和调温功能的晶体生长装置及晶体生长方法，涉及半导体领域，本晶体生长装置及方法通过在坩埚体的内部增设升降隔板，并在坩埚体的底壁和升降隔板之间装填固态的硅化钽，在升降隔板上方装填碳化硅粉料，在晶体生长过程中，固态的硅化钽可以逐渐熔化成液态的硅化钽并经过升降隔板上的多个通孔流动至升降隔板的上表面与碳化硅粉料接触，从而实现自动补硅，尽可能保证硅组分和碳组分的平衡以及过饱和度。同时，升降隔板与其上的碳化硅粉料会逐渐下降，从而逐渐增大碳化硅粉料与晶体的生长面的距离，以弥补由于晶体的生长面不断下降而损失的料晶距，保证晶体的生长面的温度梯度尽可能稳定，即兼具补硅和调温功能。

本发明授权兼具补硅和调温功能的晶体生长装置及晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种兼具补硅和调温功能的晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚（100），所述坩埚（100）包括坩埚盖（120）和坩埚体（110），所述坩埚盖（120）可开闭地设置于所述坩埚体（110）的顶部； 籽晶（122），所述籽晶（122）设置于所述坩埚盖（120）的内壁，用于生长碳化硅晶体（124）； 升降隔板（200），所述升降隔板（200）可升降地设置于所述坩埚体（110）内，所述升降隔板（200）上开设有多个通孔（210），所述升降隔板（200）的上表面用于承载碳化硅粉料（600）； 固态的硅化钽（300），所述固态的硅化钽（300）填充于所述坩埚体（110）的底壁和所述升降隔板（200）之间，所述固态的硅化钽（300）用于支撑所述升降隔板（200）的下表面以及用于在晶体生长过程中逐渐熔化形成液态的硅化钽（300）并通过所述多个通孔（210）流向所述升降隔板（200）的上表面； 所述坩埚体（110）的底壁中心设置有导向柱（400），所述导向柱（400）与所述坩埚体（110）的底壁相互垂直，所述升降隔板（200）的中心设置有导向孔（220），所述导向孔（220）与所述导向柱（400）滑动配合。

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