买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510182256.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构是由黄祥;林成芝;董宗谕设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构的制造方法包括：提供基底；其中，基底包括衬底和间隔设置于衬底上的至少两个栅极结构；栅极结构凸出衬底的表面；相邻的两个栅极结构在衬底上的投影之间的间隔距离为第一距离；在栅极结构上形成聚合层，得到过渡栅极结构；其中，相邻的两个过渡栅极结构在衬底上的投影之间的间隔距离为第二距离；第二距离小于第一距离；基于第二距离，在衬底内形成西格玛沟槽。通过本申请实施例，利用对聚合层厚度的控制实现了对西格玛沟槽的顶部尺寸的调节，降低了西格玛沟槽关键尺寸的调节难度，提升了西格玛沟槽关键尺寸的调节能力。

本发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底；其中，所述基底包括衬底和间隔设置于所述衬底上的至少两个栅极结构；所述栅极结构包括栅极部和侧墙部；所述栅极结构凸出所述衬底的表面；相邻的两个所述栅极结构在所述衬底上的投影之间的间隔距离为第一距离； 在所述栅极结构上形成聚合层，得到过渡栅极结构；其中，相邻的两个所述过渡栅极结构在所述衬底上的投影之间的间隔距离为第二距离；所述第二距离小于所述第一距离；所述聚合层包括形成于所述侧墙部表面的侧墙保护层和形成于所述栅极部暴露的表面的栅极保护层；沿着所述衬底的法线方向，所述侧墙保护层具有远离所述衬底的上边缘和靠近所述衬底的下边缘；所述下边缘在所述衬底上的投影与所述栅极结构在所述衬底上的投影中心之间的距离为第三距离；所述上边缘在所述衬底上的投影与所述栅极结构在所述衬底上的投影中心之间的距离为第四距离；所述第四距离小于所述第三距离；在所述栅极结构上形成聚合层，得到过渡栅极结构的步骤，包括：在所述衬底的表面和所述栅极结构的表面沉积聚合物薄膜；根据指定刻蚀参数，对所述聚合物薄膜进行物理干法刻蚀，以形成所述聚合层，得到所述过渡栅极结构；其中，所述指定刻蚀参数包括指定刻蚀偏置功率； 基于所述第二距离，在所述衬底内形成西格玛沟槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。