苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司杨文帆获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利一种外延片层的厚度测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119687839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510207800.9，技术领域涉及：G01B15/02；该发明授权一种外延片层的厚度测量方法是由杨文帆;王俊;程洋;詹文博;赵武;李婷;闵大勇设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片层的厚度测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延片层的厚度测量方法，外延片层的厚度测量方法包括提供半导体激光器的外延层样品；外延层样品包括多个外延片层，相邻两个外延片层为不同的三五族化合物；获取外延层样品在目标晶带轴方向上的原子尺度分辨率的高角环形暗场像；在高角环形暗场像中沿着目标原子密排面确定目标连线，目标连线穿越相邻外延片层之间的界面，并连接多个原子；根据目标连线上基准原子的亮度，确定外延片层在目标连线上的厚度；根据外延片层在目标连线上的厚度，确定外延片层的厚度。与相关技术相比，本发明可以提高外延片层的厚度测量精度，进而提高激光器的光电性能。
本发明授权一种外延片层的厚度测量方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片层的厚度测量方法，其特征在于，包括： 提供半导体激光器的外延层样品；所述外延层样品包括多个外延片层，相邻两个所述外延片层为不同的三五族化合物； 获取所述外延层样品在目标晶带轴方向上的高角环形暗场像；所述高角环形暗场像的分辨率为原子尺度； 在所述高角环形暗场像中沿着目标原子密排面确定目标连线，所述目标连线穿越相邻所述外延片层之间的界面，并连接多个原子； 根据所述目标连线上基准原子的亮度，确定所述外延片层在目标连线上的厚度； 根据所述外延片层在目标连线上的厚度，确定所述外延片层的厚度。
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