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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种存储器件及其控制方法与制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743956B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510231464.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种存储器件及其控制方法与制造方法是由王文智;王仲盛设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器件及其控制方法与制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储器件及其控制方法与制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的存储器件的一个存储单元具有两个子单元并通过漏极互连，通过配置不同的电压信号能独立读取各个子单元内存储的阈值电压，以使每个子单元具有独立的存储能力，从而提高了存储器件内单个存储单元的存储能力，使存储器件能存储更多的信息。此外，两个子单元可以分别为P型存储子单元与N型存储子单元，形成了互补的半导体结构，从而具有更好的电学性能以及稳定性。

本发明授权一种存储器件及其控制方法与制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括多个存储单元，所述存储单元包括： N型存储子单元，设置在衬底中隔离沟槽的第一侧且所述N型存储子单元的N型漏极靠近所述隔离沟槽； P型存储子单元，设置在衬底中隔离沟槽的第二侧且所述P型存储子单元的P型漏极靠近所述隔离沟槽；以及 控制引线，所述控制引线包括同时与所述N型漏极与所述P型漏极连接的共漏极引线、与所述N型存储子单元的N型源极连接的N型源极引线、与所述N型存储子单元的N型栅极连接的N型栅极引线、与所述P型存储子单元的P型源极连接的P型源极引线以及与所述P型存储子单元的P型栅极连接的P型栅极引线； 所述N型存储子单元的N型栅极以及所述P型存储子单元的P型栅极均包括控制栅以及浮栅，所述控制栅与栅极引线电性连接，并设置在源极引线与漏极引线之间，所述浮栅设置在所述控制栅下方并嵌入所述衬底； 当所述存储单元处于N型写入状态时，所述N型存储子单元的浮栅吸入电子而形成阈值电压，且所述N型写入状态中所述N型栅极引线处的正电压幅值大于P型存储子单元衬底处的正电压幅值大于所述共漏极引线处的正电压幅值； 当所述存储单元处于P型写入状态时，所述P型存储子单元的浮栅吸入空穴而形成阈值电压，且所述P型写入状态中所述P型栅极引线处的负电压幅值大于所述N型存储子单元衬底处的负电压幅值大于所述共漏极引线处的负电压幅值。

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