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龙图腾网获悉北京中科新微特科技开发股份有限公司申请的专利半导体器件的失效诊断方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510264938.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体器件的失效诊断方法是由王丹丹;张丹阳;李庆;张彦飞;刘梦新;温霄霞设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的失效诊断方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的失效诊断方法，包括获取待诊断半导体器件的初始漏源电流参数，根据初始漏源电流参数确定半导体器件氧化层的异常情况；将具有异常情况的半导体器件静置预设时长之后，获取半导体器件的当前漏源电流参数，根据初始漏源电流参数与当前漏源电流参数确定半导体器件的氧化层的可动电荷参数；获取半导体器件的漏源电流，根据漏源电流确定半导体器件的栅氧结构的陷阱电荷参数；根据可动电荷参数及陷阱电荷参数，诊断半导体器件的失效原因。本申请实施例能够借助普通的静态测试设备观察器件漏源电流在不同条件下的变化趋势，排查确定器件的失效原因。

本发明授权半导体器件的失效诊断方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的失效诊断方法，其特征在于，包括： 获取待诊断半导体器件的初始漏源电流参数，根据所述初始漏源电流参数确定半导体器件氧化层的异常情况； 将具有异常情况的半导体器件静置预设时长之后，获取所述半导体器件的当前漏源电流参数，根据初始漏源电流参数与当前漏源电流参数确定半导体器件的氧化层的可动电荷参数； 获取半导体器件的漏源电流，根据漏源电流确定半导体器件的栅氧结构的陷阱电荷参数； 根据所述可动电荷参数及所述陷阱电荷参数，诊断所述半导体器件的失效原因； 其中，所述将具有异常情况的半导体器件静置预设时长之后，获取所述半导体器件的当前漏源电流参数，根据初始漏源电流参数与当前漏源电流参数确定半导体器件的氧化层的可动电荷参数包括：将具有异常情况的半导体器件静置预设时长，等待半导体器件恢复原温度条件；测量半导体器件的当前漏源电流参数，在当前漏源电流参数等于初始漏源电流参数的情况下，确定半导体器件的氧化层不存在可动电荷； 所述获取半导体器件的漏源电流，根据漏源电流确定半导体器件的栅氧结构的陷阱电荷参数包括：向半导体器件的漏极提供第一电压，向半导体器件的栅极提供第二电压，获取半导体器件的第一测试电流；向半导体器件的漏极提供第一电压，向半导体器件的栅极提供第三电压，以获取半导体器件的第二测试电流，其中，第二电压与第三电压均为负压，且第三电压大于第二电压；对比第一测试电流与第二测试电流，判断半导体器件的栅氧结构是否存在陷阱电荷。

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