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龙图腾网获悉东华大学申请的专利一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510266621.2，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用是由吴静远;车仁超;郭冰博;温朝阳;王春瑞设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用，所述范德华结型晶体管红外探测芯片的单元结构自上而下包括二维材料层、金属电极、二氧化钒微纳结构、电学通道、CMOS读出电路；所述金属电极包括金属栅极、辅助电极、金属源极和金属漏极；所述二氧化钒微纳结构两端分别连接金属栅极和辅助电极，所述二维材料层两端分别连接金属源极和金属漏极；所述电学通道连接金属电极和衬底上CMOS读出电路。本发明制备的红外探测芯片显著提升了器件的响应速度，拓宽了响应范围，实现了超灵敏探测，并可实现自供电红外探测芯片，对于降低器件功耗和成本具有重要意义。

本发明授权一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片，其特征在于，所述范德华结型晶体管红外探测芯片的单元结构自上而下包括二维材料层1、金属电极、二氧化钒微纳结构3、电学通道4、CMOS读出电路5；所述金属电极包括金属栅极21、辅助电极22、金属源极23和金属漏极24；所述二氧化钒微纳结构3两端分别连接金属栅极21和辅助电极22，所述二维材料层1两端分别连接金属源极23和金属漏极24；所述二维材料层1与所述二氧化钒微纳结构3形成异质结；所述电学通道4连接金属电极和衬底上CMOS读出电路5； 所述二维材料层1的材料包括n型半导体或p型半导体中的任一种，其中所述n型半导体包括二硫化钼、硒化铂、二硒化钨、二硫化锡、硒化铟、二硫化钨、二碲化钼、二硒化锡、氧化锌、砷化镓中的任一种；所述p型半导体包括黑磷、碲、硒化锗、硒化钨、硒化镓、砷化镓中的任一种； 所述金属源极23和金属漏极24的材料选择基于所述二维材料层1的材料，当二维材料层1为n型半导体时，所述金属源极23和金属漏极24为低功函数金属，包括铝、钛、钪中的一种或几种；当二维材料层1为p型半导体时，所述金属源极23和金属漏极24为高功函数金属，包括金、银、铂、镍中的一种或几种。

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