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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510267655.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体器件及制造方法是由刘在时;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的半导体制造方法可以在隔离沟槽的沟槽内壁处形成保护层，从而在衬底被刻蚀时，基于保护层的刻蚀速率小于衬底的刻蚀速率而使保护层维持隔离沟槽的完整沟槽结构，以留存隔离沟槽的基本结构使其不会随衬底的刻蚀而被破坏。由此，基于前述保护层的保护，在半导体单元的源漏极区域形成的锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，使隔离沟槽与锗硅容纳结构都具有完整的结构，保证半导体单元的性能。此外，考虑到锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，则在制备锗硅容纳结构时，可以降低锗硅容纳结构与隔离沟槽的距离，从而提高半导体器件的集成度。

本发明授权一种半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供一衬底，其中，所述衬底包括多个半导体单元以及分隔所述半导体单元的隔离沟槽，所述衬底的材料为硅材料，所述隔离沟槽朝向所述衬底内部延伸且所述隔离沟槽的内部尺寸逐渐变小； 沿所述隔离沟槽的沟槽内壁形成保护层，其中，所述保护层的材料为锗硅材料；刻蚀所述衬底，以在所述半导体单元的源漏极区域形成锗硅容纳结构，其中，在所述衬底被刻蚀时，所述保护层的刻蚀速率小于所述衬底的刻蚀速率而使所述保护层维持所述隔离沟槽的完整沟槽结构，所述锗硅容纳结构朝向所述衬底内部延伸且所述锗硅容纳结构的内部尺寸先变大后变小；对于靠近目标隔离沟槽的目标锗硅容纳结构，所述目标隔离沟槽的部分保护层暴露在所述目标锗硅容纳结构内，并复用为所述目标锗硅容纳结构的侧壁，所述目标锗硅容纳结构在所述部分保护层处的内部尺寸逐渐变大； 采用锗硅材料生长工艺在所述锗硅容纳结构中填充锗硅材料，其中，所述保护层被配置为所述锗硅容纳结构内的种子层，以保证锗硅材料能完整填充所述锗硅容纳结构； 基于所述锗硅容纳结构在所述源漏极区域形成所述半导体单元的源极和或漏极。

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