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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510273667.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法是由徐广源;李佳璐;张童;李晋闽设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底表面制备5nm~30nm的AlNbuffer层；将制备有AlNbuffer层的蓝宝石衬底放置在MOCVD中生长结构层；生长3DAlGaN层；生长2DAlGaN层；生长组分为50%~60%的AlGaN层；生长掺Si的nAlGaN层；生长多量子阱有源层；生长EBL层；生长空穴注入层；生长空穴供给层。本发明通过合理设置最后两对量子阱的组分渐变，实现固定单一组分量子阱的生长，降低了电子和空穴波函数的空间分离，提高了载流子辐射符合的效率，提高了有效波段积分面积和波谱总积分面积的占比。

本发明授权一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN基UVB外延片结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： S1、在蓝宝石衬底（1）表面制备5nm~30nm的AlNbuffer层（2），温度为550℃~700℃，溅射功率为1000W~4000W，氮气流量为80sccm~200sccm，氧气流量为0.5sccm~5sccm，氩气流量为0.1sccm~40sccm，沉积时间为16s~100s； S2、将制备有AlNbuffer层（2）的蓝宝石衬底（1）放置在MOCVD中生长结构层；S2.1、在AlNbuffer层（2）上生长300nm~400nm的3DAlGaN层（3），温度由950℃渐变为1000℃，压力为20torr~35torr，TMAl流量为120umolmin~150umolmin，TMGa流量由480umolmin~600umolmin渐变为610umolmin~720umolmin，NH3流量为2000sccm~6000sccm，载气为H2和N2的混合气体，H2载气流量为15Lmin~30Lmin，N2载气流量为15Lmin~30Lmin，生长厚度为300nm~400nm； S2.2、在3DAlGaN层（3）上生长2DAlGaN层（4），温度由1150℃渐变为1200℃，压力为20torr~35torr，TMAl流量为120umolmin~150umolmin，TMGa流量由600umolmin~750umolmin渐变为760umolmin~900umolmin，NH3流量为200sccm~600sccm，通入纯N2载气，载气流量为30Lmin~60Lmin，生长厚度为200nm~300nm； S2.3、在2DAlGaN层（4）上生长Al组分为50%~60%的AlGaN层（5），温度由1200℃渐变为1100℃，压力为20torr~35torr，TMAl流量为120umolmin~150umolmin，TMGa流量由720umolmin~900umolmin渐变为540umolmin~675umolmin，NH3流量为200sccm~600sccm，通入纯N2载气，载气流量为30Lmin~60Lmin，生长厚度为450nm~550nm； S2.4、在AlGaN层（5）上生长掺Si的nAlGaN层（6）； S2.5、在掺Si的nAlGaN层（6）上生长多量子阱有源层（7），周期数为5对，温度为1000℃~1050℃，压力为35torr~100torr，TMAl流量为80umolmin~100umolmin，TMGa流量为53umolmin~66umolmin；垒层Al组分60%~65%，厚度10nm~20nm，制备倒数第3个到第1个量子阱为固定组分量子阱，量子阱沿垂直于外延生长方向为正向，温度为1100℃，压力35torr~100torr，TMAl流量为40umolmin~50umolmin，TMGa流量为160umolmin~200umolmin，阱层设定Al组分为20%~25%，实际组分为40%~45%，厚度为1.1nm~2nm；制备靠近p侧的2个量子阱层，温度为1100℃，压力为35torr~100torr，TMGa流量为160umolmin~200umolmin，TMAl流量为由17.8umolmin~22.3umolmin渐变为8.45umolmin~10.5umolmin，阱层设定Al组分由10%渐变为5%，实际组分为30%~39%，厚度为1.1nm~2nm； S2.6、在多量子阱有源层（7）上生长EBL层（8）； S2.7、在EBL层（8）上生长空穴注入层（9）； S2.8、在空穴注入层（9）上生长空穴供给层（10）。

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