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龙图腾网获悉新美光(海宁)电子材料有限公司申请的专利聚焦环及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510320748.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权聚焦环及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本聚焦环及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种聚焦环及其制备方法，其中，聚焦环包括：第一半导体材料层，第一半导体材料层包括用于接触静电卡盘的下表面以及朝向上电极和待处理晶圆的上表面，第一半导体材料层的上表面包括第一表面和第二表面，第一表面垂直于第一半导体材料层的厚度方向，第二表面中沿聚焦环径向由外向内的各位置与下表面的间距逐渐减小；第二半导体材料层，通过外延生长工艺形成在第一半导体材料层的上表面上，第二半导体材料层内晶粒的晶向垂直于上表面，第二半导体材料层为第一半导体材料层的同质外延层。由此，避免聚焦环不均匀形变影响晶圆边缘电场，最终避免晶圆边缘位置刻蚀不均匀。

本发明授权聚焦环及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种聚焦环，应用于半导体刻蚀设备中，所述半导体刻蚀设备包括作为下电极和承载待处理晶圆的静电卡盘以及与所述静电卡盘对应设置的上电极，所述聚焦环设置在所述静电卡盘的外周，其特征在于，所述聚焦环包括： 第一半导体材料层，所述第一半导体材料层包括用于接触所述静电卡盘的下表面以及朝向所述上电极和所述待处理晶圆的上表面，所述第一半导体材料层的上表面包括第一表面和第二表面，所述第一表面垂直于所述第一半导体材料层的厚度方向，所述第二表面中沿所述聚焦环径向由外向内的各位置与所述下表面的间距逐渐减小； 第二半导体材料层，通过外延生长工艺仅形成在所述第一半导体材料层的上表面上，所述第二半导体材料层内晶粒的晶向垂直于所述上表面，所述第二半导体材料层为所述第一半导体材料层的同质外延层，所述第二半导体材料层内晶粒的粒径小于所述第一半导体材料层内晶粒的粒径，所述第二半导体材料层的厚度为所述聚焦环的厚度的5%-10%；其中，所述聚焦环的厚度为所述第一半导体材料层的厚度和所述第二半导体材料层的厚度之和，所述第一半导体材料层的厚度为所述上表面与所述下表面间距的最大值。

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