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龙图腾网获悉南京乾海通信技术有限公司申请的专利一种消除准粒子影响的量子芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510324804.5，技术领域涉及：H10N60/81；该发明授权一种消除准粒子影响的量子芯片封装方法是由余同心;刘银银设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种消除准粒子影响的量子芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消除准粒子影响的量子芯片封装装置，包括屏蔽桶底板、基板、封装上板、PCB板、连接板部件、盖板部件以及屏蔽桶桶身，屏蔽桶底板位于屏蔽桶桶身底端，基板上设有第一方孔、第二方孔、第三方孔以及第四方孔和芯片方孔，封装上板内部设有第五方孔、第六方孔、第七方孔、第八方孔和中心方孔，连接板部件包括第一连接板和第二连接板，第一连接板置于PCB板上；第二连接板置于第五方孔、第六方孔、第七方孔以及第八方孔内，盖板部件包括第一盖板、第二盖板、第三盖板和中心盖板，屏蔽桶桶身与屏蔽桶底板和封装上板装配。本发明实现了高集成、磁屏蔽及极低温环境下的稳定性能，能够有效减少准粒子干扰，确保量子计算的高稳定性。

本发明授权一种消除准粒子影响的量子芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种消除准粒子影响的量子芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：在屏蔽桶底板、屏蔽桶桶身和封装上板内壁沉积高临界温度的超导材料层，形成超导层间屏蔽结构，并在屏蔽桶桶身内部涂覆红外胶涂层； 步骤二：在基板和PCB板的表面涂覆掺杂石墨烯的超导体低能态陷阱材料层，特别是在芯片方孔周围增加涂层厚度，并采用低温热处理优化陷阱能态分布，以俘获准粒子并将其限制在局部极小势阱中； 步骤三：在芯片方孔内壁及封装上板内部中心方孔表面沉积量子点吸附层； 步骤四：组装屏蔽桶桶身、屏蔽桶底板、封装上板、基板、PCB板、盖板部件和连接板部件，形成完整封装结构，并在第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽内引入微结构导流层，使俘获的准粒子向低温区扩散； 步骤五：在低温环境下，对封装结构进行多维度性能测试，并根据多维度性能测试结果，判断准粒子抑制能力； 所述步骤五中对封装结构进行多维度性能测试，包括以下步骤： 使用低温探针扫描技术或微波谐振测量，在不同位置测量准粒子密度，记录准粒子数目与分布情况，并计算准粒子密度的变化量，计算公式为： 其中：是单位体积内准粒子的数目，是测量区域的体积，是封装材料的位置，是时间； 通过量子点吸附层对准粒子的能量耗散效应进行测试，使用纳米级热探针测量准粒子在吸附层中的动能转化情况，根据准粒子在量子点层的能量消耗效率，计算其能量耗散效率，并将其与理论预期值进行对比，以评估吸附层的准粒子耗散能力，其中,能量耗散效率的计算公式为： 其中：表示耗散能量，表示准粒子的总能量，表示准粒子动能； 使用标准的量子比特相干时间测量方法对量子比特进行测试，记录不同封装方案下量子比特的相干时间，并与没有任何准粒子抑制方案的基准值进行对比，是环境因素影响下的调节因子； 采用量子电流传输测量技术或微波反射测量，通过比较不同层的准粒子透过率，得出封装结构中每个层次的有效屏蔽能力；其中准粒子透过率的计算公式为： 其中，是通过材料的准粒子流强度，是入射准粒子的流强度。

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