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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510322408.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。包括N型外延片；位于N型外延片表层的终端区与有源区；其中，有源区包括多个P柱，多个P柱之间间隔设置，且每个P柱的表面均设置有沟槽区，沟槽区内设置有欧姆接触层、阻挡金属层以及第一金属层，欧姆接触层与沟槽区的底部及侧壁接触，阻挡金属层位于欧姆接触层与第一金属层之间；位于第一金属层内与第一金属层表面的电流分散结构，电流分散结构用于在出现浪涌电流时，将浪涌电流分散至沟槽区的两侧；位于终端区表面的钝化保护层；位于有源区表面的第二金属层以及位于外延片背面的第三金属层。本申请具有提高器件正向浪涌电流处理能力与器件可靠性及鲁棒性的优点。

本发明授权一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽结势垒肖特基二极管包括： N型外延片； 位于所述N型外延片表层的终端区与有源区；其中，所述有源区包括多个P柱，所述多个P柱之间间隔设置，且每个所述P柱的表面均设置有沟槽区，所述沟槽区内设置有欧姆接触层、阻挡金属层以及第一金属层，所述欧姆接触层与所述沟槽区的底部及侧壁接触，所述阻挡金属层位于所述欧姆接触层与所述第一金属层之间； 位于所述第一金属层内与第一金属层表面的电流分散结构，所述电流分散结构用于在出现浪涌电流时，将浪涌电流分散至所述沟槽区的两侧； 位于所述终端区表面的钝化保护层； 位于所述有源区表面的第二金属层以及位于所述外延片背面的第三金属层，且所述第一金属层与所述第二金属层的材料相同； 所述电流分散结构包括第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四金属层以及第四介质层，所述第一介质层、所述第二介质层以及所述第三介质层间隔设置且均位于所述第一金属层内，所述第二介质层与所述第三介质层位于所述第一介质层的两侧，且所述第二介质层与所述第三介质层的高度均小于所述第一介质层的高度； 所述第四金属层位于所述第一介质层的表面，所述第四介质层位于所述第四金属层的表面，且所述第四金属层的表面与所述第一金属层的表面齐平； 所述第一介质层、所述第二介质层以及所述第三介质层的材料与所述第四介质层的材料不同；且制作所述第一介质层、所述第二介质层以及所述第三介质层的材料为低介电常数与高热导率材料。

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