晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司朱玮获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329676.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法是由朱玮;黄胜设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法，该误差补偿的确定方法应用于半导体结构的制造过程，该半导体结构包括衬底、形成于衬底上的至少两个量测光刻层以及形成于量测光刻层远离衬底一侧的对位光刻层；该误差补偿的确定方法包括：根据每个量测光刻层对应的工艺窗口，为每个量测光刻层的量测误差补偿赋予量测补偿权重；该量测补偿权重根据一个量测光刻层对应的工艺窗口与全部量测光刻层对应的工艺窗口的比值确定；对至少两个量测光刻层的量测误差补偿进行加权求和，将加权求和结果作为对位光刻层的量测对准误差补偿。通过本申请实施例，提升了量测对准误差补偿的补偿能力，提高了不同光刻层之间的对准精度。
本发明授权误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种误差补偿的确定方法，其特征在于，所述方法应用于半导体结构的制造过程；所述半导体结构包括衬底、形成于所述衬底上的至少两个量测光刻层以及形成于所述量测光刻层远离所述衬底的一侧的对位光刻层；所述方法包括： 根据每个所述量测光刻层对应的工艺窗口，为每个所述量测光刻层的量测误差补偿赋予量测补偿权重；其中，所述量测补偿权重根据一个所述量测光刻层对应的工艺窗口与全部所述量测光刻层对应的工艺窗口的比值确定；每个所述量测光刻层对应的量测补偿权重与每个所述量测光刻层对应的工艺窗口的大小负相关； 对所述至少两个量测光刻层的量测误差补偿进行加权求和，将加权求和结果作为所述对位光刻层的量测对准误差补偿。
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