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龙图腾网获悉北京麦竹吉科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119824548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510333431.8，技术领域涉及：C30B31/02；该发明授权一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法是由陶莹设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法。本发明碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法包括以下步骤：硅藻模板预处理，硅藻模板表面改性，金属离子前驱体溶液配置，浸渍掺杂反应，高温煅烧晶化，碳化硅晶体生长用掺杂剂形成；采用硅藻作为模板，改性后的硅藻模板通过静电吸附精准定位带正电的金属离子，使其均匀分布于纳米级孔隙壁；同时，SDBS分子增加了硅藻模板表面活性位点，促进硅藻模板与金属离子之间的化学结合，且在硅藻模板表面形成保护膜，防止其在后续反应中被破坏。Nb5+、Dy3+、Li+三种金属离子的协同掺杂，与精确控制的制备工艺相结合，极大地优化了碳化硅晶体的性能。

本发明授权一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法及其掺杂控制方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法，用于制备碳化硅晶体生长用掺杂剂，其特征在于，所述碳化硅晶体生长用掺杂剂由以下重量份的原料制备而成：硅藻50-100份，NbCl51-3份，DyNO33·6H2O1-3份，LiCl0.5-1份，SDBS溶液10-40份； 所述碳化硅晶体生长用掺杂剂制备方法包括以下步骤： A1，硅藻模板预处理：称取硅藻，将硅藻用稀硝酸溶液浸泡，低温干燥，得到硅藻模板； A2，硅藻模板表面改性：称取SDBS溶液，将硅藻模板浸入SDBS溶液中，超声处理，然后清洗，离心，干燥，得到改性硅藻模板； A3，金属离子前驱体溶液配置：按重量份称取NbCl5、DyNO33·6H2O和LiCl，然后将NbCl5、DyNO33·6H2O和LiCl依次加入到无水乙醇中，搅拌至完全溶解，形成金属离子前驱体溶液； A4，浸渍掺杂反应：将改性硅藻模板浸泡在金属离子前驱体溶液中，搅拌浸渍，得到浸渍掺杂后的硅藻模板； A5，高温煅烧晶化：将浸渍掺杂后的硅藻模板进行煅烧晶化，得到掺杂剂前驱体； A6，碳化硅晶体生长用掺杂剂形成：将掺杂剂前驱体冷却，研磨，得到碳化硅晶体生长用掺杂剂。

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