杭州积海半导体有限公司邹峥获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州积海半导体有限公司申请的专利接触/通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510352504.8，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权接触/通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构是由邹峥;李鹤鸣;吴乐忠;吴祥勇;苏万华设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本接触/通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种接触通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构，属于半导体领域，所述测量结构包括：第一测试垫，包括刻蚀阻挡层以及接触孔通孔介质层，所述第一测试垫设置有第一接触通孔阵列；以及第二测试垫，包括监测介质层、刻蚀阻挡层及接触孔通孔介质层，所述第二测试垫设置有第二接触通孔阵列；其中，所述第一测试垫设置于绝缘介质层上，所述第一接触通孔阵列的深度延伸至所述绝缘介质层内；所述第二测试垫设置于晶圆硅衬底层上，所述第二接触通孔阵列的深度延伸至所述监测介质层。通过本发明公开的一种接触通孔蚀刻工艺的测量结构及半导体结构，可在不破坏半导体结构的条件下对接触通孔过蚀刻进行监测。
本发明授权接触/通孔蚀刻工艺的测量结构、监测方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种接触通孔蚀刻工艺的测量结构，所述测量结构设置于晶圆的切割道内，其特征在于，且所述测量结构包括： 第一测试垫，包括刻蚀阻挡层以及接触孔通孔介质层，所述第一测试垫设置有第一接触通孔阵列；以及 第二测试垫，包括监测介质层、刻蚀阻挡层及接触孔通孔介质层，所述第二测试垫设置有第二接触通孔阵列； 其中，所述第一测试垫设置于绝缘介质层上，所述第一接触通孔阵列的深度延伸至所述绝缘介质层内；所述第二测试垫设置于晶圆硅衬底层上，所述第二接触通孔阵列的深度延伸至所述监测介质层；所述第一测试垫和所述第二测试垫相邻设置。
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