广立微(上海)技术有限公司袁天浩获国家专利权
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龙图腾网获悉广立微(上海)技术有限公司申请的专利一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510360836.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统是由袁天浩;苌文龙;侯嘉慧;王蘅锐设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统在说明书摘要公布了：一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统，涉及一种监测半导体器件性能的方法，包括：在硅片上形成至少两种包含半导体结构的测试单元，包括至少一种具有第一结构集群的第一测试单元和至少一种具有第二结构的第二测试单元；对硅片进行激光退火工艺，测试第二结构的电性参数；基于不同第一结构密度下测得的第二结构的电性参数，评估激光退火工艺对第二结构性能的影响。本申请通过量测激光退火后不同第一结构密度对应的第二结构电性参数，评估激光退火工艺对不同材质、不同密度的半导体器件之间性能的影响；并通过改进半导体结构设计以及激光退火工艺条件，提高半导体器件的性能以及良率，降低生产成本。
本发明授权一种监测半导体器件性能的方法、测试结构及测试系统在权利要求书中公布了：1.一种监测半导体器件性能的方法，其特征在于，包括： 在硅片上形成至少两种包含半导体结构的测试单元，包括至少一种具有第一结构集群的第一测试单元和至少一种具有第二结构的第二测试单元；其中，多个所述第一结构集中分布于所述第一测试单元，形成所述第一结构集群；所述第一结构集群在第一测试单元中的面积占比用于表征第一结构密度； 对所述硅片进行激光退火工艺，测试所述第二结构的电性参数； 基于不同所述第一结构密度下测得的所述第二结构的电性参数，评估激光退火工艺对所述第二结构性能的影响。
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