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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种标准单元中晶体管的自动布局方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119886037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510361452.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种标准单元中晶体管的自动布局方法、设备及存储介质是由王兴晟;吴展鹏;王晓帆;缪向水设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种标准单元中晶体管的自动布局方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明属于版图设计相关技术领域，其公开了一种标准单元中晶体管的自动布局方法、设备及存储介质，方法包括：获取晶体管信息；将共栅极的NMOS和PMOS配对，若存在剩余未配对的晶体管，则设置虚拟晶体管与之配对，分别将NMOS和PMOS置于不同的序列，随机初始化序列但保证配对的晶体管在序列中的位置始终对齐；执行爬山算法，得到序列的自适应初始布局，并计算序列的自适应初始温度T=2*S÷U，式中，S为每次爬山所得的分数变化量的累积，U为爬山次数，布局分数为晶体管布局指标的加权求和；执行模拟退火算法，得到序列的最终布局。以上方法通过进行晶体管配对以及对寻优算法进行改进，可以提高布局成功率、保证布局效果并缩减算法收敛时间，实现快速布局。

本发明授权一种标准单元中晶体管的自动布局方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种标准单元中晶体管的自动布局方法，其特征在于，包括： 步骤S1、获取待布局的各NMOS晶体管和PMOS晶体管的信息； 步骤S2、将共栅极的NMOS晶体管和PMOS晶体管配对，若存在剩余未配对的晶体管，则设置虚拟晶体管与之配对，分别将NMOS晶体管和PMOS晶体管置于不同的序列中，随机初始化序列中各晶体管的位置但保证配对的晶体管在序列中的位置始终对齐； 步骤S3、以序列布局为优化对象、以布局分数最高为优化目标，执行爬山算法，得到序列的自适应初始布局，并计算序列的自适应初始温度T=2*（每次爬山所得的分数变化量的累积）÷U，式中，U为爬山次数，所述布局分数为晶体管布局指标的加权求和； 步骤S4、基于自适应初始布局和自适应初始温度，执行模拟退火算法，得到序列的最终布局； 步骤S5、以序列中晶体管的排布作为晶体管的布局； 在步骤S4中，执行模拟退火算法的过程包括： 步骤S41：以序列的当前布局作为当前解i，令最优解S=i； 步骤S42：扰动当前解i，得到新解j，若分数fjfi，则接受新解j并更新S=j，否则，计算概率P=e[fj-fi]t并生成一个大于0且小于1的随机数，若随机数小于P，则接收新解j；t为当前温度； 步骤S43：降低温度t； 步骤S44：重复步骤S42~步骤S43直至温度t低于终止温度或解收敛，输出最优解。

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