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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510368309.4，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体结构制备方法及半导体结构是由胥沛雯;王士京;王兆祥;梁洁;王晓雯;仲凯;许竞翔设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构制备方法及半导体结构，制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的一侧上形成多个光刻胶掩膜图形，相邻两个所述掩膜图形之间具有开口；执行刻蚀工艺，以在所述开口的内底壁上形成深沟槽；其中，所述刻蚀工艺包括依次衔接的第一刻蚀阶段、第二刻蚀阶段和第三刻蚀阶段，分别用于形成所述深沟槽的依次衔接的顶部、中部和底部；其中，所述第一刻蚀阶段和所述第三刻蚀阶段基于改良博世工艺进行，所述改良博世工艺为采用氦气保护的等离子体刻蚀工艺。本申请实现对刻蚀行为的调控和改良，有效扩大了刻蚀工艺窗口，改善了高深宽比下的深沟槽侧壁弯曲缺陷，提高了器件的性能和可靠性。

本发明授权一种半导体结构制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的一侧上形成多个光刻胶掩膜图形，相邻两个所述掩膜图形之间具有开口； 执行刻蚀工艺，以在所述开口的内底壁上形成深沟槽； 其中，所述刻蚀工艺包括依次衔接的第一刻蚀阶段、第二刻蚀阶段和第三刻蚀阶段，分别用于形成所述深沟槽的依次衔接的顶部、中部和底部； 其中，所述第一刻蚀阶段、所述第二刻蚀阶段和所述第三刻蚀阶段基于改良博世工艺进行，所述改良博世工艺为采用氦气保护的等离子体刻蚀工艺；所述改良博世工艺使用含有所述氦气的第一工艺气体，在所述第二刻蚀阶段，还在所述第一工艺气体中添加O2不添加H2，以形成致密的氧化物层，和钝化层一起形成双重保护薄膜，对中部刻蚀形貌提供保护，并降低侧壁粗糙度，所述第一工艺气体中包括刻蚀气体和钝化气体，添加O2时，O2的流量为所述钝化气体流量的10%～20%； 其中，执行所述刻蚀工艺前，还包括：执行预处理工艺，用于对所述掩膜图形的表面进行修饰，以降低表面粗糙度，然后再执行所述刻蚀工艺；所述预处理工艺包括预刻蚀工艺，并使预刻蚀作用于所述掩膜图形的表层，所述预刻蚀工艺中使用包括O2的第二工艺气体；所述预处理工艺用于促进所述改良博世工艺中形成的钝化层的沉积质量，避免发生因钝化层在顶部不均匀沉积诱发产生堆积造成的顶部关键尺寸缩小问题，并提高对刻蚀区域的侧壁保护，形成垂直形貌。

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