华中科技大学刘政林获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种控制器内闪存读取性能的优化方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510372805.7，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种控制器内闪存读取性能的优化方法、装置和存储介质是由刘政林;骆一凡;周学鹏;李成龙设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种控制器内闪存读取性能的优化方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种控制器内闪存读取性能的优化方法、装置和存储介质，属于闪存技术领域，所述方法包括：将预设特征量、擦写读次数和数据保持时间输入当前预测模型中以获取读取电压偏移区间；根据闪存的使用情况去预测闪存的阈值电压分布更加具有实时性；在读取电压偏移区间的基础上，进行读重试操作；在读重试操作时每个页面仅调整一个读电压的偏移值变化，相同页面下的其他电压偏移值跟随读电压的偏移值变化而变化；相同页面不同读取电压偏移值的相关性，大大减少了重读试次数，降低重读时间，提升读取性能，进一步地利用读重试操作确定的阈值电压分布数据更新当前预测模型并保存，将更新后预测模型用于下一次读取操作，增加了预测的准确性。
本发明授权一种控制器内闪存读取性能的优化方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种控制器内闪存读取性能的优化方法，其特征在于，包括： S1：当接收到当前读取操作时，提取闪存芯片的预设特征量、擦写读次数和数据保持时间； S2：将所述预设特征量、所述擦写读次数和所述数据保持时间输入当前预测模型中，预测得到阈值电压分布；从所述阈值电压分布确定读取电压偏移区间； S3：在所述读取电压偏移区间的基础上，进行读重试操作直至找到目标区间，在所述目标区间进行读取得到错误数及其对应的页编号； 其中，在所述读重试操作时每个页面仅调整一个读电压的偏移值变化，相同页面下的其他读电压的偏移值跟随所述读电压的偏移值变化而变化； S4：利用所述错误数及其对应的页编号计算得出阈值电压分布数据； S5：利用所述阈值电压分布数据更新所述当前预测模型并保存，用于下一次读取操作时预测对应的阈值电压分布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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