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合肥国家实验室;中国科学技术大学余超获国家专利权

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龙图腾网获悉合肥国家实验室;中国科学技术大学申请的专利一种双模式半导体单光子探测器的读出电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119880168B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510377295.2,技术领域涉及:G01J11/00;该发明授权一种双模式半导体单光子探测器的读出电路是由余超;安栋;刘乃乐;张军;潘建伟设计研发完成,并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种双模式半导体单光子探测器的读出电路在说明书摘要公布了:本发明提供了一种双模式半导体单光子探测器的读出电路,涉及单光子探测技术领域,该读出电路包括:控制模块,用于基于外部的门控信号和雪崩探测信号生成控制信号;放大模块,用于在控制信号处于低电平状态的情况下,控制单光子探测器退出盖革模式;以及在控制信号处于高电平状态的情况下,控制单光子探测器进入盖革模式;雪崩提取模块,用于提取雪崩信号,得到脉冲型的雪崩探测信号;在门控信号为低电平状态的情况下,控制模块使控制信号保持低电平状态;在门控信号为高电平状态的情况下,控制模块基于雪崩探测信号使控制信号变为低电平状态,将雪崩信号淬灭,以及控制控制信号在预设延时时长后重新变为高电平状态。

本发明授权一种双模式半导体单光子探测器的读出电路在权利要求书中公布了:1.一种双模式半导体单光子探测器的读出电路,其特征在于,包括: 控制模块,用于基于外部的门控信号和雪崩探测信号生成控制信号; 放大模块,用于在控制信号处于低电平状态的情况下,控制单光子探测器退出盖革模式;以及在控制信号处于高电平状态的情况下,控制单光子探测器进入盖革模式;单光子探测器的阴极与第一电源连接;雪崩提取模块,包括: 采样电阻,一端与单光子探测器的阳极连接,另一端接地,采样电阻用于将雪崩信号转换成雪崩探测信号;雪崩信号是单光子探测器在盖革模式下,受信号光子的激发产生的; 第五晶体管,第五晶体管的栅极连接第三电源,第五晶体管的源极通过采样电阻接地,第五晶体管的漏极与单光子探测器的阳极连接; 第六晶体管,第六晶体管的源极接地,第六晶体管的漏极与第五晶体管的源极连接,第六晶体管的栅极用于接收主动恢复信号; 在门控信号为低电平状态的情况下,控制模块使控制信号保持低电平状态;在门控信号为高电平状态的情况下,控制模块基于雪崩探测信号使控制信号变为低电平状态,将雪崩信号淬灭,以及控制控制信号在预设延时时长后重新变为高电平状态,并基于在控制控制信号在预设延时时长后重新变为高电平状态时的上升沿,产生主动恢复信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥国家实验室;中国科学技术大学,其通讯地址为:230088 安徽省合肥市蜀山区望江西路5099号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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