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龙图腾网获悉新磊半导体科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119901778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510393042.4，技术领域涉及：G01N25/02；该发明授权一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法是由郭帅;蒋建;谢小刚设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在多个生长温度下，生长InGaAsP外延层；测试确定每个As组分；数据拟合的函数关系作为生长温度与As组分之间的对应关系；在第一温度，在InGaAs外延层上生长InGaAsP外延层；测量As组分，根据对应关系，计算出对应的生长温度，作为第二温度；在InGaAs外延层上生长其他外延层时的生长温度=基准温度‑（第二温度‑第一温度）。通过获取的对应关系，可以计算出特定厚度InGaAs外延层吸热对生长温度的额外影响，基于此确定出在InGaAs外延层上生长其他外延层时的生长温度，有利于改善产品质量。

本发明授权一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种分子束外延系统中外延层生长温度的确定方法，其特征在于，所述方法用于确定在第一预设厚度的InGaAs外延层上生长其他外延层时的生长温度，所述方法包括： 步骤a、在多个不同生长温度下，分别在InP衬底上生长第二预设厚度的InGaAsyP1-y外延层，以获得多个外延片； 步骤b、对所述多个外延片分别进行测试，以确定每个外延片中As的组分y的值，从而获得多个y值； 步骤c、对所述多个不同生长温度和所述多个y值进行数据拟合，并将拟合获得的函数关系作为生长温度与As组分之间的对应关系； 步骤d、在已经生长了第一预设厚度的InGaAs外延层上继续生长第二预设厚度的InGaAsyP1-y外延层，并测量确定组分y，其中InGaAsyP1-y外延层的生长温度为第一温度； 步骤e、计算步骤d中确定的组分y在所述对应关系中对应的生长温度，并将该对应的生长温度作为第二温度； 步骤f、在第一预设厚度的InGaAs外延层上生长其他外延层时的生长温度=基准温度-（第二温度-第一温度），所述基准温度为预先确定的在没有InGaAs外延层的InP衬底上生长所述其他外延层的生长温度。

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