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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利N型碳基场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119968083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510442438.3，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权N型碳基场效应晶体管及其制备方法是由李仕龙;王兆伟;唐先胜;韩丽丽;宫卫华;王舒蒙设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本N型碳基场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种N型碳基场效应晶体管及其制备方法。N型碳基场效应晶体管的制备方法包括：制备底栅结构的基础碳基场效应晶体管，底栅结构包括导电沟道层，导电沟道层为碳基材料；对基础碳基场效应晶体管进行洁净化处理并加热，以去除基础碳基场效应晶体管的杂质和基团；将基础碳基场效应晶体管浸泡于第二溶液中，以在导电沟道层的表面生成分子薄膜；对浸泡后的基础碳基场效应晶体管执行干燥处理，以得到N型碳基场效应晶体管。使有机分子通过π‑π非共价相互作用吸附在碳基材料表面，形成分子薄膜，且高效提供电子，实现对碳基材料的电子掺杂，同时保持其原子结构的完整性，最终制备出N型碳基场效应晶体管。

本发明授权N型碳基场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型碳基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 制备底栅结构的基础碳基场效应晶体管，所述底栅结构包括导电沟道层，所述导电沟道层为碳基材料，所述碳基材料为具有半导体特性的石墨炔、石墨烯纳米带和碳纳米管中的至少一种； 利用第一溶液对所述基础碳基场效应晶体管进行洁净化处理，并对洁净化处理后的所述基础碳基场效应晶体管执行加热处理，以去除所述基础碳基场效应晶体管的杂质和基团； 将所述基础碳基场效应晶体管浸泡于第二溶液中，以在所述导电沟道层的表面生成分子薄膜； 对浸泡后的所述基础碳基场效应晶体管执行干燥处理，以得到N型碳基场效应晶体管； 所述将所述基础碳基场效应晶体管浸泡于第二溶液中，包括： 制备第二溶液，所述第二溶液中的有机溶液为包含电子供体基团的吖啶橙、亚甲基蓝、罗丹明类和花菁类衍生物中的至少一种； 将所述基础碳基场效应晶体管放置于第二溶液中，并浸泡第二预设时间后取出，所述第二预设时间大于或等于5秒。

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