苏州大学曹冰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种倒装微型发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510450196.2，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权一种倒装微型发光二极管及其制备方法是由曹冰;袁维文;陈洋;王紫薇;江河;孙倜;许峰设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装微型发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装微型发光二极管及其制备方法，所述倒装微型发光二极管包括按照矩阵排列的多个发光单元，每个所述发光单元包括沿着所述倒装微型发光二极管的出光方向层叠设置的主体结构与出光面结构，所述主体结构包括n型半导体结构，所述n型半导体结构与所述出光面结构一体成型；所述出光面结构包括斜面结构，所述斜面结构包括沿所述n型半导体结构的边缘至所述n型半导体结构的中心分布的n级斜面，n大于或等于2；所述斜面与水平面的夹角沿所述出光方向逐渐减小。本发明的倒装微型发光二极管，采用的多段倾斜面可以减小全内反射，增加光线出射的可能性，让更多的光可以逃逸出去，从而提升顶部光提取效率。
本发明授权一种倒装微型发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装微型发光二极管，其特征在于，所述倒装微型发光二极管包括按照矩阵排列的多个发光单元，每个所述发光单元包括沿着所述倒装微型发光二极管的出光方向层叠设置的主体结构与出光面结构，所述主体结构包括n型半导体结构，所述n型半导体结构与所述出光面结构一体成型；所述出光面结构包括斜面结构，所述斜面结构包括沿所述n型半导体结构的边缘至所述n型半导体结构的中心分布的n级斜面，n大于或等于2；所述斜面与水平面的夹角沿所述出光方向逐渐减小；所述n级斜面包括第一级斜面、第二级斜面以及第三级斜面，所述第一级斜面与水平面的夹角为45°-80°，所述第二级斜面与水平面的夹角为30°-60°，所述第三级斜面与水平面的夹角为20°-45°。
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