南开大学贾传成获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510459447.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法是由贾传成;周弘毅;李萌萌;詹倩;句宏宇;郭雪峰设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及分子电子器件技术领域，提供一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器包括：导电金属源极、单分子模块、单层石墨烯漏极、液体离子栅极和导电金属栅极；单分子模块在竖直方向上延伸，单分子模块的底端与导电金属源极相连接；单分子模块的顶端与单层石墨烯漏极相连接；石墨烯漏极与液体离子栅极相连接；液体离子栅极与导电金属栅极相连接；液体离子栅极用于控制单分子模块的工作方式。本发明通过加入单分子模块和液体离子栅极两个模块，获得一种高开关比、高整流比以及工作窗口可调控的垂直单分子膜忆阻器。
本发明授权一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控垂直单分子膜忆阻器，其特征在于，包括：导电金属源极、单分子模块、漏极、液体离子栅极和导电金属栅极； 所述漏极包括导电金属漏极和单层石墨烯漏极； 所述单分子模块在竖直方向上延伸，所述单分子模块的底端与所述导电金属源极相连接； 所述单分子模块的顶端与所述单层石墨烯漏极相连接； 所述单层石墨烯漏极与所述液体离子栅极相连接； 所述液体离子栅极与所述导电金属栅极相连接； 所述液体离子栅极用于控制单分子模块的工作方式； 所述导电金属漏极和单层石墨烯漏极相连接； 所述导电金属漏极与所述液体离子栅极相连接。
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